title
Investigation of the specific deep levels in p-, i- and n- regions of GaAs p⁺-pin-n⁺ structures
GaAs p⁺-pin-n⁺ struktuuride spetsiifiliste sügavate tsentrite uurimine p-, i- ja n- alades
author
Toompuu, Jana
keywords
Gallium Arsenide (GaAs)
p+-pin-n+ diode structures
capacity relaxation method (DLTS)
deep levels
Galliumarseniid (GaAs)
p+-pin-n+ struktuurid
mahtuvuse lõõgastuse meetod (DLTS)
sügavad nivood
description
Abstract
Sisukokkuvõte
defence date
language