title
Investigation of the specific deep levels in p-, i- and n- regions of GaAs p⁺-pin-n⁺ structures
GaAs p⁺-pin-n⁺ struktuuride spetsiifiliste sügavate tsentrite uurimine p-, i- ja n- alades
series
Informatics and System Engineering C
Informaatika ja süsteemitehnika C
author
Toompuu, Jana
keywords
Gallium Arsenide (GaAs)
p+-pin-n+ diode structures
capacity relaxation method (DLTS)
deep levels
dissertations
Galliumarseniid (GaAs)
p+-pin-n+ struktuurid
mahtuvuse lõõgastuse meetod (DLTS)
sügavad nivood
dissertatsioonid
description
Abstract
Sisukokkuvõte
supervisor
Rang, Toomas
Korolkov, Oleg
defence date
12.12.2014
language
eng
institution
Tallinn University of Technology
Tallinna Tehnikaülikool
faculty
Faculty of Information Technology
Infotehnoloogia teaduskond
department / college
Thomas Johann Seebeck Department of Electronics
Thomas Johann Seebecki elektroonikainstituut