title
GaAs and SiC semiconductor materials based power structures: static and dynamic behavior analysis
GaAs ja SiC pooljuhtmaterjalidel põhinevad jõustruktuurid: staatiliste ja dünaamiliste karakteristikute käitumise analüüs
series
Informatics and System Engineering C
Informaatika ja süsteemitehnika C
author
Koel, Ants
keywords
GaAs PIN diode
SiC JBS diode
numerical simulation
temperature influence
self-heating phenomenon
switching properties
snappy effect
deep traps
dissertations
GaAs PIN diood
SiC JBS diood
numbriline simulatsioon
temperatuuri mõju
isesoojenemise fenomen
snappy fenomen
sügavad keelutsooni nivood
dissertatsioonid
description
Abstract
Sisukokkuvõte
supervisor
Rang, Toomas
defence date
30.05.2014
language
eng
institution
Tallinn University of Technology
Tallinna Tehnikaülikool
faculty
Faculty of Information Technology
Infotehnoloogia teaduskond
department / college
Thomas Johann Seebeck Department of Electronics
Thomas Johann Seebecki elektroonikainstituut