title
SiC Schottky dioodi taastumisaja sõltuvus barjääri mahtuvusest ja takistusest
The dependence of reverse recovery time on barrier capacitance and series-on resistance in SiC Schottky diodes
author
Veher, Oleksandr
keywords
taastumisaeg
Schottky diood
barjääri mahtuvus
takistus
magistritööd
reverse recovery time
Schottky diode
barrier capacitance
series-on resistance
master's theses
supervisor
Sleptšuk, Natalja
Toompuu, Jana
defence date
06.06.2017
language
eng
institution
Tallinna Tehnikaülikool
Tallinn University of Technology
faculty
Infotehnoloogia teaduskond
School of Information Technologies
department / college
Thomas Johann Seebecki elektroonikainstituut
Thomas Johann Seebeck Department of Electronics
subunit
Elektroonika ja sidetehnika õppekeskus
Study Centre for Electronics and Communication Technologies