Toggle navigation
Otsing
Kollektsioonid
Registrid
Abi ja info
Digikogu
Otsing
Kollektsioonid
Registrid
Abi ja info
Intranet
Logi sisse
pealkiri
SiC Schottky dioodi taastumisaja sõltuvus barjääri mahtuvusest ja takistusest
The dependence of reverse recovery time on barrier capacitance and series-on resistance in SiC Schottky diodes
autor
Veher, Oleksandr
märksõnad
taastumisaeg
Schottky diood
barjääri mahtuvus
takistus
magistritööd
reverse recovery time
Schottky diode
barrier capacitance
series-on resistance
master's theses
juhendaja
Sleptšuk, Natalja
Toompuu, Jana
kaitsmiskuupäev
06.06.2017
keel
eng
asutus
Tallinna Tehnikaülikool
Tallinn University of Technology
teaduskond
Infotehnoloogia teaduskond
School of Information Technologies
instituut / kolledž
Thomas Johann Seebecki elektroonikainstituut
Thomas Johann Seebeck Department of Electronics
allüksus
Elektroonika ja sidetehnika õppekeskus
Study Centre for Electronics and Communication Technologies
Laadi alla täistekst
pdf
3,24 MB