title
p-GaN HEMT-tüüpi transistoride lävipinge mõõtmine vooluringis ja eraldiseisva seadisena
Circuit-level and Device-level Measurements of the Threshold Voltage Instability in p-GaN HEMTs
author
Navolotskaia, Anna
keywords
transistorid
pinge (elektrotehnika)
töökindlus
mõõtmine
magistritööd
GaN HEMT
Threshold voltage
Reliability
OFF-state stress
Measurement circuit
master's theses
supervisor
Le Moullec, Yannick
Wu, Tian-Li
defence date
16.01.2024
language
eng
institution
Tallinna Tehnikaülikool
Tallinn University of Technology
faculty
Infotehnoloogia teaduskond
School of Information Technologies
department / college
Thomas Johann Seebecki elektroonikainstituut
Thomas Johann Seebeck Department of Electronics
subunit
Elektroonika ja kommunikatsioonitehnoloogiad, IVEM
Communicative Electronics, IVEM