pealkiri
p-GaN HEMT-tüüpi transistoride lävipinge mõõtmine vooluringis ja eraldiseisva seadisena
Circuit-level and Device-level Measurements of the Threshold Voltage Instability in p-GaN HEMTs
autor
Navolotskaia, Anna
märksõnad
transistorid
pinge (elektrotehnika)
töökindlus
mõõtmine
magistritööd
GaN HEMT
Threshold voltage
Reliability
OFF-state stress
Measurement circuit
master's theses
juhendaja
Le Moullec, Yannick
Wu, Tian-Li
kaitsmiskuupäev
16.01.2024
keel
eng
asutus
Tallinna Tehnikaülikool
Tallinn University of Technology
teaduskond
Infotehnoloogia teaduskond
School of Information Technologies
instituut / kolledž
Thomas Johann Seebecki elektroonikainstituut
Thomas Johann Seebeck Department of Electronics
allüksus
Elektroonika ja kommunikatsioonitehnoloogiad, IVEM
Communicative Electronics, IVEM