Toggle navigation
Otsing
Kollektsioonid
Registrid
Abi ja info
Digikogu
Otsing
Kollektsioonid
Registrid
Abi ja info
Intranet
Logi sisse
Vali kollektsioon
vali kõik
eemalda valik
artiklid
bakalaureusetööd
digiteeritud perioodika
diplomitööd
doktoritööd
IOP
kaitsmisele minevad doktoritööd
konverentsikogumikud
magistritööd
raamatukogu väljaanded
standardid
teadus- ja arengutegevuse aruanded
Tehnikaülikooli ajalugu
Tehnikaülikooli toimetised
uuringuaruanded
varia
õpikud ja õppevahendid
Pealkiri
Autor/juhendaja/koostaja
Struktuuriüksus
Märksõna
Aasta
-
Reasta
autor A-Z
autor Z-A
ilmumisaasta kasvavalt
ilmumisaasta kahanevalt
pealkiri A-Z
pealkiri Z-A
Register
SiC Schottky dioodi taastumisaja sõltuvus barjääri mahtuvusest ja takistusest - pealkiri
Kuva ainult täistekste
Rakenda
Kirjeid leitud: 1
1.
SiC Schottky dioodi taastumisaja sõltuvus barjääri mahtuvusest ja takistusest. The dependence of reverse recovery time on barrier capacitance and series-on resistance in SiC Schottky diodes
Veher, Oleksandr
06.06.2017
magistritööd
Kirjeid leitud: 1
1