pealkiri
Investigation of the specific deep levels in p-, i- and n- regions of GaAs p⁺-pin-n⁺ structures
GaAs p⁺-pin-n⁺ struktuuride spetsiifiliste sügavate tsentrite uurimine p-, i- ja n- alades
valdkond
Informatics and System Engineering C
Informaatika ja süsteemitehnika C
autor
Toompuu, Jana
märksõnad
Gallium Arsenide (GaAs)
p+-pin-n+ diode structures
capacity relaxation method (DLTS)
deep levels
dissertations
Galliumarseniid (GaAs)
p+-pin-n+ struktuurid
mahtuvuse lõõgastuse meetod (DLTS)
sügavad nivood
dissertatsioonid
kirjeldus
Abstract
Sisukokkuvõte
juhendaja
Rang, Toomas
Korolkov, Oleg
kaitsmiskuupäev
12.12.2014
keel
eng
asutus
Tallinn University of Technology
Tallinna Tehnikaülikool
teaduskond
Faculty of Information Technology
Infotehnoloogia teaduskond
instituut / kolledž
Thomas Johann Seebeck Department of Electronics
Thomas Johann Seebecki elektroonikainstituut