pealkiri
GaAs and SiC semiconductor materials based power structures: static and dynamic behavior analysis
GaAs ja SiC pooljuhtmaterjalidel põhinevad jõustruktuurid: staatiliste ja dünaamiliste karakteristikute käitumise analüüs
valdkond
Informatics and System Engineering C
Informaatika ja süsteemitehnika C
autor
Koel, Ants
märksõnad
GaAs PIN diode
SiC JBS diode
numerical simulation
temperature influence
self-heating phenomenon
switching properties
snappy effect
deep traps
dissertations
GaAs PIN diood
SiC JBS diood
numbriline simulatsioon
temperatuuri mõju
isesoojenemise fenomen
snappy fenomen
sügavad keelutsooni nivood
dissertatsioonid
kirjeldus
Abstract
Sisukokkuvõte
juhendaja
Rang, Toomas
kaitsmiskuupäev
30.05.2014
keel
eng
asutus
Tallinn University of Technology
Tallinna Tehnikaülikool
teaduskond
Faculty of Information Technology
Infotehnoloogia teaduskond
instituut / kolledž
Thomas Johann Seebeck Department of Electronics
Thomas Johann Seebecki elektroonikainstituut